PVD Kaplama Systerm Yüksek Yoğunluk için Zirkonyum Dönebilen Püskürtme Hedefi
Ürün ayrıntıları:
|
|
Menşe yeri: | Çin |
---|---|
Marka adı: | JINXING |
Sertifika: | ISO 9001 |
Model numarası: | Titanyum Püskürtme Hedefi |
Ödeme & teslimat koşulları:
|
|
Min sipariş miktarı: | 1kg |
Fiyat: | 20~200USD/kg |
Ambalaj bilgileri: | KONTRPLAKLAR HARF |
Teslim süresi: | 10 ~ 25 iş günü |
Ödeme koşulları: | L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union |
Yetenek temini: | 100000kgs / E |
Detay Bilgi |
|||
Malzeme: | Titanyum püskürtme hedefi | İşlem: | CIP, HIP Presleme |
---|---|---|---|
Boyut: | özelleştirilmiş | Başvuru: | PVD Kaplama sistemi |
Şekil: | Yuvarlak , Plaka, Tüp | Tane büyüklüğü: | İnce Tane Boyutu, İyi yoğunluk |
Saflık:: | %99,5, %99~95 | Yoğunluk: | 4.52g/cm3 |
Vurgulamak: | Yüksek Saflıkta% 99,5 Titanyum Püskürtme Hedefi,tungsten püskürtme hedefi |
Ürün Açıklaması
Saflık, hedef malzemenin saflığının filmin performansı üzerinde büyük bir etkisi olduğundan, hedef malzemenin ana performans endeksidir.
Hedef malzemenin ana performans gereksinimleri:
Saflık, hedef malzemenin saflığının filmin performansı üzerinde büyük bir etkisi olduğundan, hedef malzemenin ana performans endeksidir.Ancak pratik uygulamada hedefin saflık gereksinimleri aynı değildir.Örneğin, mikroelektronik endüstrisinin hızlı gelişimi ile, silikon çipin boyutu 6", 8" den 12" ye geliştirilmiştir, kablo genişliği ise 0,5um'dan 0,25um, 0,18um ve hatta 0,13um'a düşürülmüştür. Önceden, hedef saflığın %99,995'i 0,35um IC'nin işlem gereksinimlerini karşılayabilirken, 0,18um hattının hazırlanması hedef saflığın %99,999'unu hatta %99,9999'unu gerektirir.
Hedef katıdaki safsızlıklar ve gözeneklerdeki oksijen ve su buharı ana kirlilik kaynaklarıdır.Farklı hedef materyallerin farklı safsızlık içeriği için farklı gereksinimleri vardır.Örneğin, yarı iletken endüstrisi için saf alüminyum ve alüminyum alaşımlı hedefler, alkali metal içeriği ve radyoaktif element içeriği için farklı gereksinimlere sahiptir.
Hedef katıdaki gözenekliliği azaltmak ve püskürtmeli filmlerin özelliklerini iyileştirmek için hedefin genellikle yüksek bir yoğunluğa sahip olması gerekir.Hedefin yoğunluğu sadece püskürtme hızını etkilemekle kalmaz, aynı zamanda filmin elektriksel ve optik özelliklerini de etkiler.Hedef yoğunluğu ne kadar yüksek olursa, film performansı o kadar iyi olur.Ek olarak, hedefin yoğunluğunun ve gücünün arttırılması, hedefin püskürtme işlemindeki termal strese daha iyi dayanmasını sağlayabilir.Yoğunluk aynı zamanda hedefin temel performans endeksidir.
Genel olarak, hedef malzeme polikristal yapıdır ve tane boyutu mikrometreden milimetreye kadar olabilir.Aynı tür hedef için, küçük tane boyutuna sahip hedefin püskürtme hızı, büyük tane boyutuna sahip hedefe göre daha hızlı iken, küçük tane boyutu farkına sahip hedef tarafından biriktirilen filmin kalınlık dağılımı (üniform dağılım) daha üniforma.
Titanyum Püskürtme Hedefi,Titanyum Püskürtme Hedefi %99,95
değişen boyutlarda mevcuttur
D100x40mm , D65x6.35mmvb
Ürün adı | eleman | saflık | Erime noktası℃ | Yoğunluk (g/cc) | Mevcut Şekiller |
Yüksek Saf Şerit | Ag | 4N-5N | 961 | 10.49 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Alüminyum | Al | 4N-6N | 660 | 2.7 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Altın | Au | 4N-5N | 1062 | 19.32 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Bizmut | Bi | 5N-6N | 271.4 | 9.79 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Kadmiyum | CD | 5N-7N | 321.1 | 8.65 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Kobalt | ortak | 4N | 1495 | 8.9 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Krom | cr | 3N-4N | 1890 | 7.2 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Bakır | Cu | 3N-6N | 1083 | 8.92 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Ferro | Fe | 3N-4N | 1535 | 7.86 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Germanyum | Ge | 5N-6N | 937 | 5.35 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf İndiyum | İçinde | 5N-6N | 157 | 7.3 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Magnezyum | Mg | 4N | 651 | 1.74 | Tel, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Magnezyum | Mn | 3N | 1244 | 7.2 | Tel, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Molibden | ay | 4N | 2617 | 10.22 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Niobyum | not | 4N | 2468 | 8,55 | Tel, Hedef |
Yüksek Saf Nikel | Ni | 3N-5N | 1453 | 8.9 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Kurşun | Pb | 4N-6N | 328 | 11.34 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Paladyum | PD | 3N-4N | 1555 | 12.02 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Platin | nokta | 3N-4N | 1774 | 21.5 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Silikon | Si | 5N-7N | 1410 | 2.42 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Kalay | Sn | 5N-6N | 232 | 7.75 | Tel, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Tantal | Ta | 4N | 2996 | 16.6 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Tellür | Te | 4N-6N | 425 | 6.25 | Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Titanyum | Ti | 4N-5N | 1675 | 4.5 | Tel, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Tungsten | W | 3N5-4N | 3410 | 19.3 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Çinko | çinko | 4N-6N | 419 | 7.14 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Yüksek Saf Zirkonyum | Zr | 4N | 1477 | 6.4 | Tel, Levha, Parçacık, Hedef |
Mesajınız Girin