Pvd Kaplama Sistemi için Yüksek Saflıkta% 99.5 Titanyum Püskürtme Hedefi

Ürün ayrıntıları:
Menşe yeri: Çin
Marka adı: JINXING
Sertifika: ISO 9001
Model numarası: Titanyum Püskürtme Hedefi
Ödeme & teslimat koşulları:
Min sipariş miktarı: 1kg
Fiyat: 20~200USD/kg
Ambalaj bilgileri: KONTRPLAKLAR HARF
Teslim süresi: 10 ~ 25 iş günü
Ödeme koşulları: L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union
Yetenek temini: 100000kgs / E

Detay Bilgi

Malzeme: Titanyum püskürtme hedefi İşlem: CIP, HIP Presleme
Boyut: özelleştirilmiş Başvuru: PVD Kaplama sistemi
Şekil: Yuvarlak , Plaka, Tüp Tane büyüklüğü: İnce Tane Boyutu, İyi yoğunluk
Saflık:: %99,5, %99~95 Yoğunluk: 4.52g/cm3
Vurgulamak:

Yüksek Saflıkta% 99

,

5 Titanyum Püskürtme Hedefi

,

tungsten püskürtme hedefi

Ürün Açıklaması

Titanyum Püskürtme Hedefi %99,5, %99,95 D100x40mm, D65x6.35mm

Saflık, hedef malzemenin saflığının filmin performansı üzerinde büyük bir etkisi olduğundan, hedef malzemenin ana performans endeksidir.


Hedef malzemenin ana performans gereksinimleri:


Saflık, hedef malzemenin saflığının filmin performansı üzerinde büyük bir etkisi olduğundan, hedef malzemenin ana performans endeksidir.Ancak pratik uygulamada hedefin saflık gereksinimleri aynı değildir.Örneğin, mikroelektronik endüstrisinin hızlı gelişimi ile, silikon çipin boyutu 6", 8" den 12" ye geliştirilmiştir, kablo genişliği ise 0,5um'dan 0,25um, 0,18um ve hatta 0,13um'a düşürülmüştür. Önceden, hedef saflığın %99,995'i 0,35um IC'nin işlem gereksinimlerini karşılayabilirken, 0,18um hattının hazırlanması hedef saflığın %99,999'unu hatta %99,9999'unu gerektirir.

 

Hedef katıdaki safsızlıklar ve gözeneklerdeki oksijen ve su buharı ana kirlilik kaynaklarıdır.Farklı hedef materyallerin farklı safsızlık içeriği için farklı gereksinimleri vardır.Örneğin, yarı iletken endüstrisi için saf alüminyum ve alüminyum alaşımlı hedefler, alkali metal içeriği ve radyoaktif element içeriği için farklı gereksinimlere sahiptir.


Hedef katıdaki gözenekliliği azaltmak ve püskürtmeli filmlerin özelliklerini iyileştirmek için hedefin genellikle yüksek bir yoğunluğa sahip olması gerekir.Hedefin yoğunluğu sadece püskürtme hızını etkilemekle kalmaz, aynı zamanda filmin elektriksel ve optik özelliklerini de etkiler.Hedef yoğunluğu ne kadar yüksek olursa, film performansı o kadar iyi olur.Ek olarak, hedefin yoğunluğunun ve gücünün arttırılması, hedefin püskürtme işlemindeki termal strese daha iyi dayanmasını sağlayabilir.Yoğunluk aynı zamanda hedefin temel performans endeksidir.


Genel olarak, hedef malzeme polikristal yapıdır ve tane boyutu mikrometreden milimetreye kadar olabilir.Aynı tür hedef için, küçük tane boyutuna sahip hedefin püskürtme hızı, büyük tane boyutuna sahip hedefe göre daha hızlı iken, küçük tane boyutu farkına sahip hedef tarafından biriktirilen filmin kalınlık dağılımı (üniform dağılım) daha üniforma.

 

Titanyum Püskürtme Hedefi,Titanyum Püskürtme Hedefi %99,95

değişen boyutlarda mevcuttur

D100x40mm , D65x6.35mmvb

 

Ürün adı eleman saflık Erime noktası Yoğunluk (g/cc) Mevcut Şekiller
Yüksek Saf Şerit Ag 4N-5N 961 10.49 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Alüminyum Al 4N-6N 660 2.7 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Altın Au 4N-5N 1062 19.32 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Bizmut Bi 5N-6N 271.4 9.79 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Kadmiyum CD 5N-7N 321.1 8.65 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Kobalt ortak 4N 1495 8.9 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Krom cr 3N-4N 1890 7.2 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Bakır Cu 3N-6N 1083 8.92 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Ferro Fe 3N-4N 1535 7.86 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Germanyum Ge 5N-6N 937 5.35 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf İndiyum İçinde 5N-6N 157 7.3 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Magnezyum Mg 4N 651 1.74 Tel, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Magnezyum Mn 3N 1244 7.2 Tel, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Molibden ay 4N 2617 10.22 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Niobyum not 4N 2468 8,55 Tel, Hedef
Yüksek Saf Nikel Ni 3N-5N 1453 8.9 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Kurşun Pb 4N-6N 328 11.34 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Paladyum PD 3N-4N 1555 12.02 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Platin nokta 3N-4N 1774 21.5 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Silikon Si 5N-7N 1410 2.42 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Kalay Sn 5N-6N 232 7.75 Tel, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Tantal Ta 4N 2996 16.6 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Tellür Te 4N-6N 425 6.25 Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Titanyum Ti 4N-5N 1675 4.5 Tel, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Tungsten W 3N5-4N 3410 19.3 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Çinko çinko 4N-6N 419 7.14 Tel, Levha, Parçacık, Hedef
Yüksek Saf Zirkonyum Zr 4N 1477 6.4 Tel, Levha, Parçacık, Hedef

 

 

Pvd Kaplama Sistemi için Yüksek Saflıkta% 99.5 Titanyum Püskürtme Hedefi 0

Bizimle temasa geçin

Mesajınız Girin

Bunların İçinde Olabilirsiniz